近期市場傳出台達電與功率半導體大廠英飛凌深化合作，雙方合作範圍可望延伸至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，引發市場關注台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施的布局。這項合作是否能成為 AI 資料中心電力供應的新突破？
現象觀察：AI 資料中心電力需求攀升
隨著 AI 資料中心機櫃功率不斷上升，800 V 高壓直流（HVDC）已逐步成為新一代供電架構的發展方向，未來更將朝固態變壓器（SST）演進。這一趨勢下，高效能、低損耗的功率元件成為關鍵。
碳化矽（SiC）因其耐高壓、高效率及低損耗等特性，被視為 800 V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一，也是支撐未來 MW 等級 AI 資料中心的重要技術。
原因剖析：碳化矽的優勢
相比傳統矽（Si）功率元件，碳化矽具有多方面的優勢。首先，碳化矽可以承受更高的工作溫度，提高系統的可靠性和穩定性。其次，碳化矽的高擊穿電場強度使其能夠在高電壓環境下運作，進一步提升電力轉換效率。再者，碳化矽的低導通損耗和快速開關速度，使得其在高頻率應用中表現出色，有效降低能源損耗。
影響評估：雙方合作的戰略意義
英飛凌是全球主要功率半導體供應商之一，在矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件均具備完整產品布局，產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。近年隨著 AI 電力需求快速成長，英飛凌也積極投入高效率電源管理及高功率密度解決方案，成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。
去年，英飛凌宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的能力，打造高效率、高功率密度的電源解決方案。
趨勢預測：未來的電力基礎設施
值得注意的是，台達近年持續布局 SST 技術。台達總裁張訓海今年於 GTC 2026 表示，公司早在過去便投入 SST 研發，除目前積極推動 800 V 電源架構外，SST 預計最慢將於 2027 年迎來市場爆發。
從產業面來看，台達與英飛凌的合作將不僅僅是技術上的互補，更是市場策略上的協同。這項合作有望加速碳化矽技術在 AI 資料中心的普及，推動高效率電力基礎設施的發展，進而滿足日益增長的 AI 電力需求。
市場認為，若雙方合作進一步深化至 SiC 領域，將有助於支撐台達布局 SST 與下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件。
面對未來，台達與英飛凌的合作能否成功突破 AI 資料中心電力供應的瓶頸？讀者不妨持續關注這兩家公司的最新動態，並思考這項技術對自身行業可能帶來的影響。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
台達電與英飛凌合作的主要領域是什麼？
台達電與英飛凌的合作主要集中在碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，旨在提升 AI 資料中心的電力基礎設施。
碳化矽（SiC）有哪些優勢？
碳化矽具有耐高壓、高效率及低損耗等特性，尤其適合高電壓和高頻率應用，有效提升電力轉換效率。
800 V 高壓直流（HVDC）的應用前景如何？
800 V 高壓直流（HVDC）已成為新一代供電架構的發展方向，未來將朝固態變壓器（SST）演進，支撐未來 MW 等級 AI 資料中心的電力需求。
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