在近期落幕的 SEMICON China 展會上，美系外資摩根士丹利（大摩）發布最新觀察報告，明確指出中國半導體產業的產能擴張步伐未曾停歇，且國產設備替代進程正按照既定計畫穩健推進。這項趨勢不僅再次印證中國在半導體自主供應鏈上的決心，更預示本土晶圓製造設備（WFE）供應商將迎來可觀的長期成長動能。
記憶體領域的巨擘佈局與技術躍升
說真的，中國記憶體晶片製造商的擴產計畫，是推動本土設備需求的核心力量。長江存儲與長鑫存儲兩大巨頭正持續推進其產能擴張藍圖，特別是在設備進口週期與技術升級加速的雙重驅動下，對本土晶圓製造設備（WFE）供應商的需求顯著攀升。
摩根士丹利分析師觀察到，兩家公司各自規劃新建一座月產 10 萬片晶圓的晶圓廠，分別是長江存儲的 Fab 3 與長鑫存儲的上海廠。預計相關設備採購將在約 18 個月內陸續完成。其中，長江存儲預期在今年完成其 Fab 2 的量產爬坡，並計畫於下半年啟動 Fab 3 的設備進場作業。而長鑫存儲在 2026 年的訂單動能更為強勁，其產能擴張主要聚焦於先進的 DDR5 技術。隨著 3D NAND 層數的提升以及 DDR4 向 DDR5 的過渡，單位晶圓所需的設備價值大幅增加，這為本土設備廠的營收成長提供了堅實支撐。截至 2026 年，長江存儲預計將新增 2.5 萬片產能，長鑫存儲則將新增 6 萬片產能。
先進邏輯製程的突破與國產化進程
不僅記憶體領域，中國在先進邏輯製程的產能擴張動能同樣不容小覷。根據 SEMICON China 現場的觀察，除了中芯南方（SMIC South）之外，已有數座晶圓廠正積極投入先進製程節點的擴產。有趣的是，在研發資源共享與人才流動的推動下，多重曝光（multi-patterning）這項關鍵技術可能不再是中芯南方所獨有。
這也意味著中國半導體產業在先進製程的自主能力正逐步提升。目前預期中芯國際的 N+2 製程節點產能，在 2026 年將達到每月 4 萬片晶圓（wpm），並計畫於 2027 年進一步擴大產能，這對本土設備供應鏈來說無疑是巨大的利好。
本土設備供應鏈的技術躍升與市場滲透
這次展會中，中國本土半導體設備廠展現了多項具指標意義的產品突破，這不僅是量的堆疊，更是質的躍進。例如，中微半導體推出了多款新產品，包括針對 3D 記憶體的高選擇比蝕刻設備，以及一款已進入客戶端現場驗證階段的 ICP 蝕刻機。此外，北方華創、拓荊科技（Piotech）等國內領先的薄膜沉積設備廠商，也在 PVD 與 PECVD 設備上取得了量產突破。
這些技術進展，隨著來自 3D NAND 與 DRAM 晶圓廠的訂單增加而更顯重要。同時，本土設備廠在先進封裝後段設備的技術驗證與量產出貨方面也取得了顯著進展，這代表中國半導體產業的國產化替代策略正從前端製造延伸至後段封裝。
摩根士丹利分析師強調：「中國本土設備在成熟製程與記憶體晶圓廠的滲透率正持續提升，這得益於各製程環節產品競爭力的全面改善。」這清晰描繪了在地供應商的崛起路徑。
為何中國半導體擴張對本土設備廠如此重要？中國半導體產業在記憶體與先進邏輯製程上的持續擴張，結合其追求國產化替代的戰略，正直接驅動對本土晶圓製造設備（WFE）的強勁需求。特別是隨著技術升級，如 3D NAND 層數提升及 DDR4 過渡至 DDR5，單位晶圓所需的設備價值顯著提高，為在地設備供應商創造了龐大的市場成長空間。
展望與影響：大摩看好本土巨頭表現
總的來看，摩根士丹利對中國本土半導體設備產業的發展前景持樂觀態度。他們認為，隨著記憶體與晶圓代工產能的持續擴張，北方華創與中微半導體將在蝕刻與沉積設備需求中直接受益。而盛美半導體則可望隨著本土設備採用率的提升與製程多元化趨勢，持續擴大其成長動能。大摩因此看好這三間公司的市場表現，並給予「優於大盤」的評級，這無疑為市場投資人指明了方向。這波國產化浪潮，不僅是技術的自我超越，更是產業鏈重塑的關鍵時刻。