中國半導體擴產浪潮勢不可擋?SEMICON China揭露本土設備廠長線成長的關鍵密碼

當全球目光聚焦半導體供應鏈的緊張局勢,一個來自 SEMICON China 2026 的信號,再次震驚了業界觀察家:中國的半導體產能擴張與國產設備替代進程,正以超乎預期的速度按計畫推進。這不僅是對全球晶片版圖的重新定義,更為本土設備供應商描繪出一幅長期成長的藍圖。

表象:不容小覷的產能擴張雄心

從表面來看,中國在半導體領域的投入可謂傾全國之力。美國系外資摩根士丹利(大摩)在最新報告中明確指出,記憶體與先進邏輯製程兩大板塊的產能擴張動能都異常強勁。

在記憶體方面,長江存儲與長鑫存儲這兩大巨頭正持續推進其野心勃勃的擴產計畫。大摩的觀察顯示,兩家公司都各自規劃建設一座月產 10 萬片晶圓的晶圓廠,分別是長江存儲的 Fab 3 與長鑫存儲的上海廠。這意味著,未來約 18 個月內,將有大量設備採購需求湧現。

「大摩指出,長江存儲預計今年完成 Fab 2 的量產爬坡,並計畫於下半年啟動 Fab 3 的設備進場;而長鑫存儲 2026 年的訂單動能更為強勁,產能擴張主要聚焦於 DDR5。」

至於先進邏輯製程,情況同樣不遑多讓。除了中芯南方(SMIC South),根據 SEMICON China 現場觀察,多座晶圓廠已投入先進製程節點的擴產。這表明中國不僅追求量的突破,更在質的提升上努力不懈。

真相:技術升級與國產替代的雙重驅動

為何中國本土半導體設備廠能逆勢上揚,迎來長線成長?核心原因在於其國家戰略的堅定推動,以及技術升級帶來的龐大需求。隨著設備進口週期拉長與技術升級加速,本土晶圓製造設備(WFE)供應商的需求自然水漲船高。

大摩進一步分析,隨著 3D NAND 層數的不斷提升,以及 DDR4 過渡至 DDR5 的趨勢,單位晶圓所需的設備價值顯著提高。這就好比從傳統相機升級到高畫質數位單眼,每一次技術迭代都意味著對更精密、更昂貴設備的需求,進一步支撐了本土設備廠的營收成長。

「目前預期 2026 年,長江存儲將新增 2.5 萬片產能,而長鑫存儲則將新增 6 萬片產能,這些新增產能將直接轉化為對本土設備的強勁訂單。」

此外,在研發資源共享與人才流動的推動下,多重曝光(multi-patterning)技術可能不再僅限於中芯南方,這預示著先進製程的普及化將為更多本土設備商帶來機會。預計中芯國際 N+2 製程節點產能,2026 年將達到每月 4 萬片晶圓(wpm),並於 2027 年進一步擴張。

各方角力:本土設備商的產品突破

在這場半導體自主化的競賽中,中國本土半導體設備廠正展現出驚人的技術進步。SEMICON China 展會成為這些突破的最佳舞台,證明他們不再只是追隨者,而是逐漸成為創新者。

中微半導體便是一例,他們推出了多款新產品,包括針對 3D 記憶體的高選擇比蝕刻設備,以及一款已進入客戶端現場驗證階段的 ICP 蝕刻機。這表示他們的產品已達到業界領先水平,並獲得客戶認可。

同時,北方華創、拓荊科技(Piotech)等國內領先的薄膜沉積設備廠商,也在 PVD 與 PECVD 設備上取得量產突破。隨著來自 3D NAND 與 DRAM 晶圓廠的訂單增加,這些廠商在先進封裝後段設備的技術驗證與量產出貨方面,同樣有所進展。這不僅填補了國內市場空白,更提升了整體供應鏈的韌性。

深層影響:市場滲透率與投資契機

中國本土設備在成熟製程與記憶體晶圓廠的滲透率持續提升,這得益於各製程環節產品競爭力的全面改善。大摩認為,這趨勢不僅是短期的市場反應,更是長期結構性變革的體現。

隨著記憶體與晶圓代工產能的持續擴張,北方華創與中微半導體將在蝕刻與沉積設備需求中直接受益。而盛美半導體則可望隨著本土設備採用率提升與製程多元化趨勢,持續擴大成長動能。大摩看好這三間公司的表現,並給予「優於大盤」的評級,顯示其對這些本土設備龍頭的信心。

「大摩強調,本土設備商的崛起,是中國半導體產業鏈走向自主可控的關鍵一步,其市場潛力不容忽視。」

這股趨勢不僅為相關企業帶來巨大的營收成長空間,也為全球投資者提供了新的觀察視角:中國半導體市場不再僅是消費端,其上游設備製造能力正成為新的戰略高地。

未解之問:全球局勢下的挑戰與變數

儘管中國半導體產業展現出強勁的擴張動能與技術突破,但我們不禁要問:在全球供應鏈日趨複雜、地緣政治變數不斷升高的背景下,這場浩大的自主化進程,是否會面臨新的挑戰?例如,國際技術壁壘的升高,抑或是關鍵材料供應的不確定性,都可能為其發展帶來變數。這不僅是中國半導體產業自身需要面對的課題,也是全球產業鏈參與者都必須深思的未解之問。