記憶體市場下半年仍受惠於 AI 需求的帶動，但 DRAM 與 NAND Flash 的漲價節奏卻出現分歧。業界普遍認為，DRAM 供給缺口仍未改善，預期下半年合約價將有雙位數漲幅，尤其是 DDR4 在第三季的漲幅可能超過三成。相比之下，NAND Flash 雖然需求持續，但價格漲幅已逐步進入高原期，第三季預估漲幅約一成多。
DRAM 漲勢強勁
市場原先預期第三季 DRAM 合約價約季增 13% 至 18%，但由於 DDR4 供需比預期更緊張，漲幅可能超出預期。企業與工控市場仍大量使用 DDR4，且因 DDR5 價格偏高，許多中低階 PC 或成本敏感的應用仍偏好 DDR4，使其生命周期比預期更長。
此外，CSP 業者為了確保供貨，願意接受更高價格，並洽談 1 至 2 年的長約，進一步推動 DDR4 第三季價格上揚。
NAND 進入高原期
產業人士指出，AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用仍持續推升 NAND 需求，整體基本面並未轉弱。然而，成熟型 Flash 包括 SLC/MLC NAND 及 NOR Flash 仍受惠於供給缺口，價格維持上漲趨勢。但整體 NAND 市場，如 3D NAND、Client SSD 及 Enterprise SSD 等產品，漲幅已較 DRAM 明顯收斂。
有業者預期，NAND 第三季平均漲幅約一成多，第四季可能再放緩，價格逐漸進入高原整理階段。
市場格局與未來展望
目前記憶體市場仍維持 DRAM 強於 Flash 的格局。主要原因在於 HBM、DDR5 及 LPDDR5X 等高階產品持續排擠成熟 DRAM 產能，使 DDR4 供給缺口短期難以補足。相較之下，Flash 雖受 AI 新增需求支撐，供需結構相對健康，但供給彈性仍高於 DRAM，價格走勢趨於平穩。
從產業面來看，DRAM 供給缺口短期難以解決，特別是 DDR4 在中低階市場的需求依然堅挺，這將成為推動 DRAM 价格上漲的主要動力。對投資者而言，關注南亞科、華邦電、旺宏、群聯等相關業者的表現，將是下半年的重要觀察指標。
面對 DRAM 和 NAND 市場的分歧，投資者應密切關注各公司的財報及市場動態，以做出更明智的投資決策。此外，考慮到 AI 需求的持續增長，相關記憶體技術的進步也值得關注。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
DRAM 和 NAND Flash 的主要差異是什麼？
DRAM 主要用於運算過程中的高速暫存，而 NAND Flash 則用於長期數據存儲。DRAM 價格波動較大，NAND Flash 價格相對穩定。
為什麼 DDR4 價格在第三季仍有大幅上漲的空間？
DDR4 供需仍然緊張，企業與工控市場大量使用，且 DDR5 價格偏高，使 DDR4 成為更具性價比的選擇。
如何看待 NAND Flash 價格進入高原期？
NAND Flash 價格進入高原期意味著漲幅逐漸放緩，主要因為供給彈性高於 DRAM，且 AI 需求雖然持續增長，但對價格影響有限。
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