摩根士丹利（大摩）在最新發布的報告中指出，2026 年 SEMICON China 展會再次印證，中國半導體產業的產能擴張與本土設備替代進程正按既定計畫推進。這股趨勢預計將帶動長江存儲、長鑫存儲等記憶體大廠對本土晶圓製造設備（WFE）供應商的長期需求，為相關產業鏈注入強勁成長動能。
事實陳述與市場觀察
根據大摩的現場觀察，中國的記憶體與先進邏輯製程產能擴張動能均顯著。在記憶體領域，長江存儲與長鑫存儲持續推進其擴產計畫，兩家公司各自規劃建設一座月產能達 10 萬片晶圓的全新晶圓廠，分別為長江存儲的 Fab 3 與長鑫存儲的上海廠。相關設備的採購預計在未來約 18 個月內完成。其中，長江存儲預期將於今年完成其 Fab 2 的量產爬坡，並計畫於下半年啟動 Fab 3 的設備進場作業；長鑫存儲則預期 2026 年的訂單動能將更為強勁，其產能擴張主要聚焦於先進的 DDR5 技術。
大摩進一步指出，隨著 3D NAND 層數的提升以及 DDR4 向 DDR5 的技術過渡，單位晶圓所需的設備價值顯著提高，這為本土設備製造商的營收成長提供了堅實支撐。預計 2026 年，長江存儲將新增 2.5 萬片產能，而長鑫存儲則將新增 6 萬片產能。在先進邏輯製程方面，除了中芯南方（SMIC South），展會現場觀察顯示已有數座晶圓廠投入先進製程節點的擴產。此外，由於研發資源共享與人才流動，多重曝光（multi-patterning）技術可能不再僅限於中芯南方。目前預期中芯國際的 N+2 製程節點產能，將在 2026 年達到每月 4 萬片晶圓，並計畫於 2027 年進一步擴張。
業界觀點與設備廠前景
此次 SEMICON China 展會也成為中國本土半導體設備廠展現多項產品突破的重要平台。中微半導體（AMEC）推出多款新產品，包括針對 3D 記憶體的高選擇比蝕刻設備，以及一款已進入客戶端現場驗證階段的 ICP 蝕刻機。同時，北方華創（Naura）、拓荊科技（Piotech）等國內領先的薄膜沉積設備廠商，在 PVD 與 PECVD 設備上取得了量產突破，並隨著來自 3D NAND 與 DRAM 晶圓廠的訂單增加而持續成長。這些廠商在先進封裝後段設備的技術驗證與量產出貨方面，亦有所進展。
摩根士丹利分析師認為，中國本土設備在成熟製程與記憶體晶圓廠的市場滲透率正持續提升，這主要受惠於各製程環節產品競爭力的全面改善。隨著記憶體與晶圓代工產能的持續擴張，北方華創與中微半導體預計將在蝕刻與沉積設備需求中受益。而盛美半導體（ACM Research）則可望隨著本土設備採用率的提升與製程多元化趨勢，持續擴大其成長動能。大摩對這三家公司的表現均表示看好，並給予「優於大盤」的評級，凸顯其對中國本土設備供應鏈未來發展的信心。
後續觀察與產業趨勢
整體而言，中國半導體產業的發展趨勢不僅體現在單純的產能擴張，更深層次地反映了對技術自主與國產替代的堅定承諾。從 3D NAND 層數的提升到 DDR4 向 DDR5 的過渡，這些技術升級對於晶圓製造設備的需求價值有著顯著的推升作用，進一步鞏固了本土設備廠的營收成長基礎。這股由內需驅動、技術創新與政策支持多重因素交織的發展模式，將是未來幾年全球半導體產業不可忽視的關鍵力量。面對全球供應鏈的挑戰，中國半導體產業的韌性與成長潛力，正透過持續的投資與技術突破逐步展現。